پوٹاشیم ڈیڈیوٹیریم فاسفیٹ (ڈی کے ڈی پی) ایک قسم کا نان لائنر آپٹیکل کرسٹل ہے جس میں 1940 کی دہائی میں تیار کردہ بہترین الیکٹرو آپٹک خصوصیات ہیں۔ یہ وسیع پیمانے پر آپٹیکل پیرامیٹرک دولن، الیکٹرو آپٹک Q میں استعمال ہوتا ہے۔- سوئچنگ، الیکٹرو آپٹک ماڈیولیشن اور اسی طرح. DKDP کرسٹل ہےدو مراحل: مونوکلینک مرحلہ اور ٹیٹراگونل مرحلہ. دی مفید ڈی کے ڈی پی کرسٹل ٹیٹراگونل فیز ہے جس کا تعلق ڈی سے ہے۔_{2 ڈی}-42m پوائنٹ گروپ اور ID¹²_{2 ڈی} -42d خلائی گروپ DKDP ایک isomorphic ہے۔ساخت پوٹاشیم ڈائی ہائیڈروجن فاسفیٹ (KDP) کا۔ ہائیڈروجن کمپن کی وجہ سے انفراریڈ جذب کے اثر کو ختم کرنے کے لیے ڈیوٹیریم KDP کرسٹل میں ہائیڈروجن کی جگہ لے لیتا ہے۔ڈی کے ڈی پی کرسٹل کے ساتھ اعلی deuteration چوہاio کے پاس ہے۔ بہتر الیکٹرو آپٹیکل خواص اور بہتر غیر لکیری خصوصیات

1970 کے بعد سے، لیزر کی ترقی Inertial Cجرمانہ Fusion (ICF) ٹیکنالوجی نے فوٹو الیکٹرک کرسٹل کی ایک سیریز کی ترقی کو بہت فروغ دیا ہے، خاص طور پر KDP اور DKDP۔ جیسا کہ ایک الیکٹرو آپٹیکل اور نان لائنر آپٹیکل مواد میں استعمال کیا جاتا ICF، کرسٹل ہے اعلی ترسیل کی ضرورت ہے لہر بینڈ میں سے قریب الٹرا وایلیٹ سے قریب اورکت، بڑے الیکٹرو آپٹیکل گتانک اور نان لائنر گتانک، زیادہ نقصان کی حد، اور بننا ہونے کے قابل تیار کریںd میں بڑے یپرچر اور ساتھ اعلی نظری معیار. اب تک، صرف KDP اور DKDP کرسٹل سے ملوse ضروریات

ICF کو DKDP کا سائز درکار ہے۔ جزو 400 ~ 600 ملی میٹر تک پہنچنا۔ اسے بڑھنے میں عام طور پر 1-2 سال لگتے ہیں۔ڈی کے ڈی پی کرسٹل کے ساتھ اتنا بڑا سائز روایتی طریقہ سے کی پانی کے حل کو ٹھنڈا کرنے کے لئے، تو تحقیق کے کام کی ایک بہت باہر کیا گیا ہے حاصل DKDP کرسٹل کی تیز رفتار ترقی 1982 میں، Bespalov et al. 40 ملی میٹر کے کراس سیکشن کے ساتھ DKDP کرسٹل کی تیز رفتار ترقی کی ٹیکنالوجی کا مطالعہ کیا۔×40 ملی میٹر، اور شرح نمو 0.5-1.0 ملی میٹر فی گھنٹہ تک پہنچ گئی، جو روایتی طریقہ سے زیادہ شدت کا حکم تھا۔ 1987 میں، Bespalov et al. کے ساتھ اعلیٰ معیار کے DKDP کرسٹل کو کامیابی کے ساتھ بڑھایا 150 ملی میٹر کا سائز×150 ملی میٹر×80 ملی میٹر کی طرف سے اسی طرح کی تیز رفتار ترقی کی تکنیک کا استعمال کرتے ہوئے. 1990 میں، Chernov et al. پوائنٹ کا استعمال کرتے ہوئے 800 جی کے بڑے پیمانے پر DKDP کرسٹل حاصل کیے۔-بیج کا طریقہ. میں DKDP کرسٹل کی ترقی کی شرح Z-سمت تک پہنچناd 40-50 mm/d، اور ان میں X- اور Y-ہدایات پہنچناd 20-25 ملی میٹر فی دن لارنس لیورمور قومی لیبارٹری (LLNL) نے N کی ضروریات کے لیے بڑے سائز کے KDP کرسٹل اور DKDP کرسٹل کی تیاری پر کافی تحقیق کی ہے۔عقلی اگنیشن سہولت (این آئی ایف) امریکہ کے. 2012 میں،چینی محققین نے تیار کیا۔ ایک DKDP کرسٹل جس کا سائز 510 ملی میٹر ہے۔×390 ملی میٹر×520 ملی میٹر جس سے قسم کا ایک خام DKDP جزو II تعدد دوگنا 430 ملی میٹر کے سائز کے ساتھ تھا بنایا.

الیکٹرو آپٹیکل کیو سوئچنگ ایپلی کیشنز کو ڈی کے ڈی پی کرسٹل کی ضرورت ہوتی ہے جس میں ڈیوٹیریم مواد زیادہ ہوتا ہے۔ 1995 میں، Zaitseva et al. اعلی ڈیوٹیریم مواد اور 10-40 mm/d کی شرح نمو کے ساتھ DKDP کرسٹل بڑھے۔ 1998 میں، Zaitseva et al. مسلسل فلٹریشن کا طریقہ استعمال کرکے اچھے آپٹیکل کوالٹی، کم ڈس لوکیشن ڈینسٹی، ہائی آپٹیکل یکسانیت اور زیادہ نقصان کی حد کے ساتھ DKDP کرسٹل حاصل کیے ہیں۔ 2006 میں، ہائی ڈیوٹیریم DKDP کرسٹل کی کاشت کے لیے فوٹو باتھ کا طریقہ پیٹنٹ کیا گیا تھا۔ 2015 میں، DKDP کرسٹل کے ساتھ deuteration چوہاio 98% اور 100 ملی میٹر کا سائز×105 ملی میٹر×پوائنٹ کے حساب سے 96 ملی میٹر کامیابی کے ساتھ بڑھے گئے۔-بیج شیڈونگ یونیورسٹی میں طریقہ چین کے. ویںہے کرسٹل میں کوئی نظر آنے والا میکرو نقص نہیں ہے، اور اس کا اضطراری انڈیکس کی توازن 0.441 سے کم ہے۔ پی پی ایم. 2015 میں، تیزی سے ترقی کی ٹیکنالوجیDKDP کرسٹل کا deuteration چوہا کے ساتھio 90% کا چین میں پہلی بار تیاری کے لیے استعمال کیا گیا۔ س-سوئچمواد، یہ ثابت کرتے ہوئے کہ تیز رفتار ترقی کی ٹیکنالوجی کو 430 ملی میٹر قطر DKDP الیکٹرو آپٹیکل Q-سوئچ تیار کرنے کے لیے لاگو کیا جا سکتا ہے۔ing جزو ICF کی طرف سے درکار ہے۔

WISOPTIC کے ذریعہ تیار کردہ DKDP کرسٹل (ڈیوٹریشن> 99%)

ڈی کے ڈی پی کرسٹل طویل عرصے تک فضا کے سامنے رہے گا۔ ہے سطح ڈیلیریم اور نیبلization، جو آپٹیکل کوالٹی میں نمایاں کمی کا باعث بنے گی۔ اور تبادلوں کی کارکردگی کا نقصان۔ لہذا، الیکٹرو آپٹک Q-سوئچ کی تیاری کرتے وقت کرسٹل کو سیل کرنا ضروری ہے۔ روشنی کی عکاسی کو کم کرنے کے لیےپر سگ ماہی کی کھڑکیs کیو سوئچ اور پر کرسٹل کے ایک سے زیادہ سطحوں، اپورتک انڈیکس ملاپ مائع اکثر انجکشن کیا جاتا ہے خلا میں کرسٹل اور کھڑکی کے درمیانs. یہاں تک کہ ڈبلیوبغیر مخالف-عکاس کوٹنگ، ٹیوہ ترسیل ہو سکتا ہے 92% سے بڑھ کر 96%-97% (طول موج 1064 nm) تک استعمال کرتے ہوئے اپورتک انڈیکس مماثلت حل. اس کے علاوہ، حفاظتی فلم بھی نمی پروف پیمائش کے طور پر استعمال ہوتی ہے۔ Xionget al تیار SiO₂ colloidal فلم کے ساتھ کے افعال نمی پروف اور اینٹی ریفلیکٹی۔پر. ترسیل 99.7 فیصد تک پہنچ گئی (طول موج 794 nm)، اور لیزر نقصان کی حد 16.9 J/cm تک پہنچ گئی² (طول موج 1053 nm، نبض کی چوڑائی 1 ns)۔ Wang Xiaodong et al. تیار a حفاظتی فلم کی طرف سے پولی سلوکسین گلاس رال کا استعمال کرتے ہوئے. لیزر نقصان کی حد 28 J/cm تک پہنچ گئی۔² (طول موج 1064 nm، نبض کی چوڑائی 3 ns)، اور آپٹیکل خصوصیات 3 ماہ تک 90% سے زیادہ رشتہ دار نمی کے ساتھ ماحول میں کافی مستحکم رہیں۔

ایل این کرسٹل سے مختلف، قدرتی بائرفرنجنس کے اثر پر قابو پانے کے لیے، ڈی کے ڈی پی کرسٹل زیادہ تر طولانی ماڈلن کو اپناتا ہے۔ جب رنگ الیکٹروڈ استعمال کیا جاتا ہے، میں کرسٹل کی لمبائیبیم سمت کرسٹل سے زیادہ ہونی چاہیے۔’s قطر، تاکہ یکساں برقی میدان حاصل کیا جا سکے۔ لہذا کو بڑھاتا ہے روشنی جذب کرسٹل میں اور تھرمل اثر depolarization کی قیادت کرے گا at اعلی اوسط طاقت.

آئی سی ایف کی مانگ کے تحت، ڈی کے ڈی پی کرسٹل کی تیاری، پروسیسنگ اور ایپلی کیشن ٹیکنالوجی کو تیزی سے تیار کیا گیا ہے، جس سے ڈی کے ڈی پی الیکٹرو آپٹک کیو سوئچز کو لیزر تھراپی، لیزر جمالیاتی، لیزر کندہ کاری، لیزر مارکنگ، سائنسی تحقیق میں وسیع پیمانے پر استعمال کیا جا سکتا ہے۔ اور لیزر ایپلی کیشن کے دیگر شعبوں۔ تاہم، ڈیلیکیسینس، زیادہ اندراج کا نقصان اور کم درجہ حرارت میں کام کرنے کے قابل نہ ہونا اب بھی وہ رکاوٹیں ہیں جو DKDP کرسٹل کے وسیع استعمال کو محدود کرتی ہیں۔

WISOPTIC کی طرف سے بنایا گیا DKDP Pockels سیل